Eigenschaften
Speichertyp
Speichertakt
Asynchrone Ansteuerung
Speichersorte
Zugriffszeit
Bausteingröße
Single/Double
Technologie
Seiten-Größe
Row-Size
Temperaturkontrolle
Marke
Hersteller
Gewicht
Speicherbezeichnung
Preis
Ordnungskriterien
Speichertyp
DDR, SD, EDO, PS/2, RIMMTakt
66 / 100 / 133 / 266 MHzKapazität / Organisation
128 / 256 /512 / ... MBZugriffszeit
5, 7, 10, ... nsHersteller
"Preis"
Typen
SDRAM
DDRRAM
EDO
VC-RAM
WRAM
FPM-RAM
SIMM
SLRAM
PS/2
3D-RAM
NV-RAM
V-RAM
RAMBUS
Elektronischer Speicher
Halbleiter
._________|_______
Schreib-Lese Festwert
___|______ |
Statisch Dynamisch Lösch/Programmierart
S-RAM D-RAM EPROM EEPROM
Aufbau
S-RAM
Flip Flop
1 Bit-Speicher
aus Transisoren
8 MOS-FET TransistorenVorteil: Ub hält Info!
D-RAM
CMOS-Transistor
als Ladungsträger C
1 Bit => 2 Transistoren
Vorteil: kleiner, billiger als FF
Nachteil: Refresh nötig
Speichermodule
normale ICs, DIP Dual Inline Package (kein Modul)
SIPP, SIMM 30 Pins, Verpolungsschutz, 16 Bit Datenbus
PS/2, 72 Pins, 32 Bit Datenbus
DIMM, 168-polig (136 bei Laptop), 64 BIT Datenbus
RAMBUS
Aufbau von Modulen
zB. SIMM
256K x (8+1)
(8+1) ICs je 256K x 1
+1 = Parity (Fehler-Prüfung)
Anschlussleitungen
Daten: D0-D7 = 1Byte
Adressen: A0-A9 = 29 = 512___ ___
RAS & CAS => n x 2 => 218 = 256Kje IC 256 x 1 BIT
=> 8 ICs parallel